非晶硅太阳电池窗口层材料掺硼非晶金刚石的研究

非晶硅太阳电池窗口层材料掺硼非晶金刚石的研究

O484; 以固态掺杂方式利用过滤阴极真空电弧技术制备掺硼非晶金刚石薄膜,获得性能优良的宽带隙p型半导体材料,再利用等离子增强化学气相沉积技术制备p-i-n结构非晶硅人阳电池的本征层和n型层,最终制成以掺硼非晶金刚石薄膜为窗口层的非晶硅人阳电池.利用Lambda950紫外-可见光分光光度计表征薄膜的光学带隙,并测试电池开路电压、短路电流、填充因子以及转化效率等参数,再分析电池的光谱响应特性.实验表明,掺硼非晶金刚石薄膜的光学带隙(～2.0eV)比P型非晶硅更宽,以掺硼非晶金刚石薄膜用作非晶硅太阳电池的窗口层,能够改善电池的光谱响应特征,并提高转化效率达10%以上....

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Veröffentlicht in:无机材料学报 2008, Vol.23 (5), p.1064-1066
Hauptverfasser: 朱嘉琦, 卢佳, 田桂, 檀满林, 耿达
Format: Artikel
Sprache:chi
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:O484; 以固态掺杂方式利用过滤阴极真空电弧技术制备掺硼非晶金刚石薄膜,获得性能优良的宽带隙p型半导体材料,再利用等离子增强化学气相沉积技术制备p-i-n结构非晶硅人阳电池的本征层和n型层,最终制成以掺硼非晶金刚石薄膜为窗口层的非晶硅人阳电池.利用Lambda950紫外-可见光分光光度计表征薄膜的光学带隙,并测试电池开路电压、短路电流、填充因子以及转化效率等参数,再分析电池的光谱响应特性.实验表明,掺硼非晶金刚石薄膜的光学带隙(～2.0eV)比P型非晶硅更宽,以掺硼非晶金刚石薄膜用作非晶硅太阳电池的窗口层,能够改善电池的光谱响应特征,并提高转化效率达10%以上.
ISSN:1000-324X
DOI:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.040