钇改性PZT薄膜的极化印刻研究
TB43; 铁电PZT薄膜的极化印刻(imprinting)是PZT不挥发存储器失效的重要原因之一.本文研究了不同钇量改性的PZT(40/60)铁电薄膜在高温(120℃)和偏置电压下的极化印刻特性,发现适量的钇掺杂,改善了PZT薄膜电容器单元的极化印刻.
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| Veröffentlicht in: | 无机材料学报 2001, Vol.16 (5), p.928-932 |
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| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | chi |
| Online-Zugang: | Volltext |
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| Zusammenfassung: | TB43; 铁电PZT薄膜的极化印刻(imprinting)是PZT不挥发存储器失效的重要原因之一.本文研究了不同钇量改性的PZT(40/60)铁电薄膜在高温(120℃)和偏置电压下的极化印刻特性,发现适量的钇掺杂,改善了PZT薄膜电容器单元的极化印刻. |
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| ISSN: | 1000-324X |
| DOI: | 10.3321/j.issn:1000-324X.2001.05.024 |