电镀法制备富集112Cd靶

电镀法制备富集112Cd靶

TL92+2; 针对CS-30加速器制备高放射性核纯度111 In(≥99.9％)所用富集112 Cd靶的电镀工艺进行了探索,首次根据加速器束流轰击径迹(束斑)实现定向区域电镀,在此基础上,对影响富集112 Cd靶质量及厚度的各种因素进行研究,确定最佳工艺条件,最终所得富集112 Cd靶表面光亮、致密、牢固,厚度大于65 mg∕cm2.同时初步探索了富集112 Cd靶厚与产额的关系,当富集112 Cd靶厚为90 mg∕cm2时,111 In产额为222 MBq∕μA?h....

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:同位素 2021, Vol.34 (6), p.503-508
Hauptverfasser: 高靖, 夏灵厅, 胡映江, 李飞泽, 兰图, 杨吉军, 廖家莉, 刘宁, 杨远友
Format: Artikel
Sprache:chi
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:TL92+2; 针对CS-30加速器制备高放射性核纯度111 In(≥99.9％)所用富集112 Cd靶的电镀工艺进行了探索,首次根据加速器束流轰击径迹(束斑)实现定向区域电镀,在此基础上,对影响富集112 Cd靶质量及厚度的各种因素进行研究,确定最佳工艺条件,最终所得富集112 Cd靶表面光亮、致密、牢固,厚度大于65 mg∕cm2.同时初步探索了富集112 Cd靶厚与产额的关系,当富集112 Cd靶厚为90 mg∕cm2时,111 In产额为222 MBq∕μA?h.
ISSN:1000-7512