应变纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO柱形量子点中离子施主束缚激子的光吸收系数：Mg含量和杂质位置的影响

在有效质量近似和偶极矩近似下,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,采用变分法详细研究了势垒中Mg含量和离子施主杂质中心位置对受限于纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO圆柱形应变量子点中离子施主束缚激子（D^＋,X）体系的带间光跃迁吸收系数的影响。计算结果表明：当垒中Mg含量x〈0.25时,随着Mg含量的增加,（D^＋,X）体系的光跃迁吸收峰向高能方向移动,出现蓝移现象;而当x〉0.25时,随着Mg含量的增加,吸收曲线向低能方向移动,出现红移现象。（D^＋,X）体系的带间光跃迁吸收峰强度随着Mg含量的增加而减弱。随着离子施主杂质从量子点左边界沿材料生长方向移至量子点右边界时,光跃迁吸收峰发生蓝移。当在量子点中心左侧沿径向移动离子施主杂质时,光跃迁吸收峰向高能方向移动,发生蓝移现象;而当在量子点中心右侧沿径向移动离子施主杂质时,吸收曲线发生红移现象,但离子施主杂质的掺入位置对光跃迁吸收峰强度影响不明显。