复合电铸制备Cu/SiCp复合材料的工艺
采用复合电铸工艺制备碳化硅颗粒(SiCp)增强铜基复合材料,重点研究了添加剂、颗粒粒径、电流密度、施镀温度、搅拌强度等工艺参数对Cu/SiCp复合材料中SiCp含量的影响。结果表明,优化各工艺参数可有效促进SiCp与铜离子的共沉积,提高复合材料中增强固体颗粒的含量,在此基础上研究开发了一种可有效促进SiC颗粒与铜共沉积的混合添加剂,可获得SiCp含量较高的Cu/SiCp复合材料。...
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Veröffentlicht in: | Shànghăi jiāotōng dàxué xuébào 2003, Vol.37 (2), p.182-185 |
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1. Verfasser: | |
Format: | Artikel |
Sprache: | chi |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
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Zusammenfassung: | 采用复合电铸工艺制备碳化硅颗粒(SiCp)增强铜基复合材料,重点研究了添加剂、颗粒粒径、电流密度、施镀温度、搅拌强度等工艺参数对Cu/SiCp复合材料中SiCp含量的影响。结果表明,优化各工艺参数可有效促进SiCp与铜离子的共沉积,提高复合材料中增强固体颗粒的含量,在此基础上研究开发了一种可有效促进SiC颗粒与铜共沉积的混合添加剂,可获得SiCp含量较高的Cu/SiCp复合材料。 |
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ISSN: | 1006-2467 |
DOI: | 10.3321/j.issn:1006-2467.2003.02.010 |