直流偏置对射频容性耦合放电特性的影响

O53; 直流偏置能较好抑制射频容性耦合等离子体(radio frequency capacitively coupled plasma,RF-CCP)表面充电效应,但仍存在其对RF-CCP放电参量影响规律不明确,电源对参量控制复杂等问题.构建了直流源与射频源的板-板结构RF-CCP仿真模型,在射频源基础上施加负直流源,研究直流偏置对RF-CCP放电特性影响,并比较射频与直流偏置对放电参量影响差异.结果表明,无直流源时,周期平均电子密度Ne,ave,周期平均电子温度Te,ave均为对称分布,Ne,ave呈现两端小、中间大的凸函数分布,Te,ave在距极板4 mm以内鞘层区均有陡然上升,极大值出现在距极板1 mm左右处;直流源会使等离子体主体区Ne,ave升高并发生偏移,直流源侧Ne,ave降低,对侧Ne,ave增加,且对侧增加速率较快.直流偏置可改善单侧电子温度与电子通量,但提高电子密度能力弱于射频源.实际工程中,若欲提高单侧电子温度与电子通量,应施加直流源,若提高整体电子密度,应提高射频源功率.