外场下SiSe分子结构及激发特性研究
采用局域自旋密度近似(LSDA)方法,在311+ +g(3df,3pd)基组水平上对不同外电场下SiSe分子的几何结构进行优化,并分析分子电偶极矩、总能量、HOMO能级、LUMO能级和能隙等随外场的变化情况,然后采用杂化CIS方法计算外电场下SiSe分子的激发特性及电子光谱,结果表明:在外电场作用下,分子键长、总能量、偶极矩和紫外-可见光谱等受到明显影响;外电场由-0.04a.u.到0.04a.u.变化过程,键长和偶极矩先减小后增大,而总能量则先增大后减小,当电场F=0.01a.u.时总能量达到最大值,偶极矩达到最小值;当外电场在-0.020 ~0.020a.u.范围变化时,能隙EG受影响较小...
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Veröffentlicht in: | 凯里学院学报 2019, Vol.37 (6), p.18-22 |
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Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | chi |
Online-Zugang: | Volltext |
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Zusammenfassung: | 采用局域自旋密度近似(LSDA)方法,在311+ +g(3df,3pd)基组水平上对不同外电场下SiSe分子的几何结构进行优化,并分析分子电偶极矩、总能量、HOMO能级、LUMO能级和能隙等随外场的变化情况,然后采用杂化CIS方法计算外电场下SiSe分子的激发特性及电子光谱,结果表明:在外电场作用下,分子键长、总能量、偶极矩和紫外-可见光谱等受到明显影响;外电场由-0.04a.u.到0.04a.u.变化过程,键长和偶极矩先减小后增大,而总能量则先增大后减小,当电场F=0.01a.u.时总能量达到最大值,偶极矩达到最小值;当外电场在-0.020 ~0.020a.u.范围变化时,能隙EG受影响较小,当外加电场由-0.020变化到-0.040a.u.和0.020变化到0.040a.u.时,能隙EG急剧下降;当外加电场较小时分子电子光谱对应紫外发光,当施加负向外电场F=-0.040a.u.时,在可见光区域476.6nm处出现较强吸收峰. |
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ISSN: | 1673-9329 |
DOI: | 10.3969/j.issn.1673-9329.2019.06.06 |