Al2O3(0001)邻晶面上基底温度对 PTCDI-C5岛分布的影响

TB322%TB43; 在α-Al2O3(0001)表面研究了N,N′-二戊基-3,4,9,10-苝二甲酰亚胺(PTCDI-C5)薄膜形貌与基底温度之间的关系.在背景真空度低于6×10 -7Pa的超高真空腔中,利用分子束外延方法在基底上生长标称厚度为0.6 nm的PTCDI-C5薄膜,薄膜生长过程中的基底温度分别被控制在25 ℃、37 ℃和61 ℃.生长结束后,利用原子力显微镜(AFM)轻敲模式在大气环境下对薄膜形貌进行离线表征.AFM图像显示在Al2O3基底表面,PTCDI-C5分子形成岛,而且PTCDI-C5岛的排列与基底温度之间呈现一定关系.本文实验条件下,在25 ℃和37 ℃之间存在一...

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Veröffentlicht in:	纳米技术与精密工程 2018-03, Vol.1 (1), p.54-58
Hauptverfasser:	李煜溪, 李艳宁, 魏亚旭, 吴森, 胡春光, 孙立东, 胡小唐
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	TB322%TB43; 在α-Al2O3(0001)表面研究了N,N′-二戊基-3,4,9,10-苝二甲酰亚胺(PTCDI-C5)薄膜形貌与基底温度之间的关系.在背景真空度低于6×10 -7Pa的超高真空腔中,利用分子束外延方法在基底上生长标称厚度为0.6 nm的PTCDI-C5薄膜,薄膜生长过程中的基底温度分别被控制在25 ℃、37 ℃和61 ℃.生长结束后,利用原子力显微镜(AFM)轻敲模式在大气环境下对薄膜形貌进行离线表征.AFM图像显示在Al2O3基底表面,PTCDI-C5分子形成岛,而且PTCDI-C5岛的排列与基底温度之间呈现一定关系.本文实验条件下,在25 ℃和37 ℃之间存在一个基底温度阈值.在薄膜生长过程中,当基底温度低于此温度阈值时,PTCDI-C5岛在基底表面随机排列;相反,当基底温度高于此温度阈值时,PTCDI-C5岛沿着Al2O3(0001)表面的台阶边缘分布.
ISSN:	1672-6030
DOI:	10.13494/j.npe.20170011