半导体载流子迁移率及电阻率的计算模型

本文利用计算机求解平衡载流子的电中性条件,获得一般情况下杂质半导体载流子的统计分布.综合考虑了晶格振动散射、杂质散射和载流子散射对载流子迁移率的影响,建立了一套载流子迁移率和电阻率的计算模型.在此基础上,研究了不同的杂质浓度与温度对迁移率和电阻率的影响.模型结果表明,在低温和室温附件,杂质散射是主要散射机制,而在高温区,晶格振动散射是主要机制;电阻率随着杂质浓度的增大基本呈线性减少,而室温下的电阻率随温度升高而增加,在低温和高温区随温度升高而减少....

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Veröffentlicht in:	内江师范学院学报 2016, Vol.31 (10), p.43-47
1. Verfasser:	卫静婷陈利伟
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	电阻率载流子统计分布载流子迁移率
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	本文利用计算机求解平衡载流子的电中性条件,获得一般情况下杂质半导体载流子的统计分布.综合考虑了晶格振动散射、杂质散射和载流子散射对载流子迁移率的影响,建立了一套载流子迁移率和电阻率的计算模型.在此基础上,研究了不同的杂质浓度与温度对迁移率和电阻率的影响.模型结果表明,在低温和室温附件,杂质散射是主要散射机制,而在高温区,晶格振动散射是主要机制;电阻率随着杂质浓度的增大基本呈线性减少,而室温下的电阻率随温度升高而增加,在低温和高温区随温度升高而减少.
ISSN:	1671-1785
DOI:	10.13603/j.cnki.51-1621/z.2016.10.009