基于超导铝的低损耗共面波导谐振器

O782.9; 研制具有实用价值的超导量子系统需要进一步提高量子比特的质量,目前材料及核心表界面缺陷是限制量子比特相干时间的重要因素.微波谐振器作为超导量子芯片的重要组成部分,可用于表征材料质量及相关器件制备工艺优劣.利用分子束外延(MBE)技术在本征硅(111)衬底上生长铝膜,制备λ/4共面波导谐振器.通过硅衬底的处理和高质量铝薄膜的制备,在20 mK的温度和近单光子探测功率下将谐振器本征品质因子提升到106....

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	量子电子学报 2021, Vol.38 (4), p.428-435
Hauptverfasser:	郑煜臻, 朱博杰, 武彪, 黄永丹, 陈建, 黄荣, 孙骏逸, 贾浩林, 顾俊, 熊康林, 冯加贵, 杨辉
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	O782.9; 研制具有实用价值的超导量子系统需要进一步提高量子比特的质量,目前材料及核心表界面缺陷是限制量子比特相干时间的重要因素.微波谐振器作为超导量子芯片的重要组成部分,可用于表征材料质量及相关器件制备工艺优劣.利用分子束外延(MBE)技术在本征硅(111)衬底上生长铝膜,制备λ/4共面波导谐振器.通过硅衬底的处理和高质量铝薄膜的制备,在20 mK的温度和近单光子探测功率下将谐振器本征品质因子提升到106.
ISSN:	1007-5461
DOI:	10.3969/j.issn.1007-5461.2021.04.004