含钪石榴石Nd：GSGG晶体的原料制备、晶体生长及结构研究

提拉法生长的Nd：GSGG是性能优良的激光晶体，在固体强激光领域有重要的运用前景。采用液相共沉淀法制备了GSGG的前驱物，将前驱物在较低的温度下烧结，获得了GSGG多晶原料，用提拉法生长了无散射、气泡、云层、无开裂的Ф26mm×45mm的含钪石榴石Nd：GSGG晶体。用X射线衍射对GSGG的共沉淀前驱物在不同烧结温度下的相变情况进行了研究，表明在900℃烧结温度下，GSGG前驱物即可反应形成GSGG多晶，这比固相法合成GSGG料的反应温度低了200℃。同时，用X射线衍射对GSGG多晶、Nd：GSGG单晶的结构进行了研究，采用最小二乘法，以f（θ）=sinθ-sin^1-Tθ（T=20）为外推函数，计算了GSGG多晶和Nd：GGG单晶的晶格参数，分别为1．257547nm、1．256163nm。它们之间的晶格参数差异可能是由于Ga组分的不同所引起的。