Si/Si低温键合界面的XPS研究

Si/Si低温键合界面的XPS研究

利用金属过渡层的方法实现了Si/Si低温键合.拉力测试表明,温度越高,键合强度越大.采用X射线光电子能谱对Si/Si键合界面进行了研究,结果表明,退火样品的界面主要为Au-Si共晶合金;Si-Au含量比随着退火温度的升高和刻蚀深度的增加而增大....

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Veröffentlicht in:厦门理工学院学报 2010, Vol.18 (3), p.20-23
1. Verfasser: 张小英 阮育娇 陈松岩 王元樟 甘亮勤 杜旭日
Format: Artikel
Sprache:chi
Schlagworte:
XPS
硅片键合
金属过渡层
键合机理
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Beschreibung
Zusammenfassung:利用金属过渡层的方法实现了Si/Si低温键合.拉力测试表明,温度越高,键合强度越大.采用X射线光电子能谱对Si/Si键合界面进行了研究,结果表明,退火样品的界面主要为Au-Si共晶合金;Si-Au含量比随着退火温度的升高和刻蚀深度的增加而增大.
ISSN:1673-4432
DOI:10.3969/j.issn.1673-4432.2010.03.005