聚乙烯咔唑/杂多阴离子杂化LB膜的制备、结构与光电性质

首次选用聚乙烯咔唑(PVK)、二十二烷酸(BA)与杂多阴离子用LB技术制备了五种有机/无机杂化LB膜,PVK/BA/HPC(HPC=Na5[PZ(H2O)Mo11O39]·5H2O,Z=Mn,Co,Cu,Zn,Ni),用原子力显微镜(AFM),UV-vis,小角X射线衍射(LAXRD),表面光电压谱(SPS),荧光光谱等对LB膜的结构与性质进行了表征。结果表明:它们在空气/水界面有好的成膜性能,崩滞压为22-27mN/m,杂多阴离子作为一个单层夹在PVK和BA双层之间,PVK/BA/HPC LB膜的光致发光具有PVK激基缔合物的特征荧光,其光电压谱有较强的光电响应。...

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Veröffentlicht in:Hua hsüeh hsüeh pao 2002, Vol.60 (7), p.1192-1196
1. Verfasser: 柳士忠 杜祖亮 等
Format: Artikel
Sprache:chi
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Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:首次选用聚乙烯咔唑(PVK)、二十二烷酸(BA)与杂多阴离子用LB技术制备了五种有机/无机杂化LB膜,PVK/BA/HPC(HPC=Na5[PZ(H2O)Mo11O39]·5H2O,Z=Mn,Co,Cu,Zn,Ni),用原子力显微镜(AFM),UV-vis,小角X射线衍射(LAXRD),表面光电压谱(SPS),荧光光谱等对LB膜的结构与性质进行了表征。结果表明:它们在空气/水界面有好的成膜性能,崩滞压为22-27mN/m,杂多阴离子作为一个单层夹在PVK和BA双层之间,PVK/BA/HPC LB膜的光致发光具有PVK激基缔合物的特征荧光,其光电压谱有较强的光电响应。
ISSN:0567-7351
DOI:10.3321/j.issn:0567-7351.2002.07.009