中长双色红外焦平面探测器组件技术研究

中长双色红外焦平面探测器组件技术研究

TN36; 在(211)B碲锌镉衬底上,采用分子束外延生长制备了PPP型中长双色碲镉汞材料,通过台面孔刻蚀、侧壁钝化等工艺,实现中长双色640×512 红外焦平面探测器组件研制.中长双色碲镉汞材料测试结果表明,表面宏观缺陷(2～10 μm)密度统计分布约773 cm-2,同时对材料进行了XRD双晶衍射半峰宽(FWHM)测试和位错腐蚀坑(EPD)统计,XRD测试FWHM约31.9 arcsec,EPD统计值约为5×105 cm-2;双色器件芯片台面刻蚀深度达到8 μm以上,深宽比达到1∶1以上,侧壁覆盖率达到72.5%.中长双色红外焦平面组件测试结果表明,中波波长响应范围为3.6～5.0 μm,...

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Veröffentlicht in:红外与毫米波学报 2023-06, Vol.42 (3), p.292-299
Hauptverfasser: 耿松, 杨晋, 李树杰, 覃钢, 李立华, 赵俊, 李艳辉, 孔金丞, 赵鹏, 左大凡, 胡彦博, 梁艳, 任洋
Format: Artikel
Sprache:chi
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