中长双色红外焦平面探测器组件技术研究

TN36; 在(211)B碲锌镉衬底上,采用分子束外延生长制备了PPP型中长双色碲镉汞材料,通过台面孔刻蚀、侧壁钝化等工艺,实现中长双色640×512 红外焦平面探测器组件研制.中长双色碲镉汞材料测试结果表明,表面宏观缺陷(2～10 μm)密度统计分布约773 cm-2,同时对材料进行了XRD双晶衍射半峰宽(FWHM)测试和位错腐蚀坑(EPD)统计,XRD测试FWHM约31.9 arcsec,EPD统计值约为5×105 cm-2;双色器件芯片台面刻蚀深度达到8 μm以上,深宽比达到1∶1以上,侧壁覆盖率达到72.5%.中长双色红外焦平面组件测试结果表明,中波波长响应范围为3.6～5.0 μm,长波波长响应范围为7.4～9.7 μm,中波向长波的串音为0.9%,长波向中波的串音为3.1%,中波平均峰值探测率达到3.31×1011 cm·Hz1/2/W,NETD为17.7 mK;长波平均峰值探测率达到6.52×1010 cm·Hz1/2/W,NETD为32.8 mK;中波有效像元率达到99.46%,长波有效像元率达到98.19%,初步实现中长双色红外焦平面组件研制.