一种InP HEMT分布小信号模型建模方法

一种InP HEMT分布小信号模型建模方法

TN386; 提出了一种用于InP高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的分布式小信号等效电路建模方法.在采用的模型中考虑了分布电容效应,通过加入三个分布电容来表征.为了精确建模,在提取寄生电容时考虑到寄生电感引入的误差,首先提取了寄生电感.在达到50 GHz的InP HEMT中,小信号建模方法的有效性得到了验证.此外,在2～50 GHz频率范围内,S参数建模误差小于4％,这也证明了所提出建模方法的高建模精度....

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:红外与毫米波学报 2022, Vol.41 (2), p.511-516
Hauptverfasser: 戚军军, 吕红亮, 程林, 张玉明, 张义门, 赵锋国, 段兰燕
Format: Artikel
Sprache:chi
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:TN386; 提出了一种用于InP高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的分布式小信号等效电路建模方法.在采用的模型中考虑了分布电容效应,通过加入三个分布电容来表征.为了精确建模,在提取寄生电容时考虑到寄生电感引入的误差,首先提取了寄生电感.在达到50 GHz的InP HEMT中,小信号建模方法的有效性得到了验证.此外,在2～50 GHz频率范围内,S参数建模误差小于4％,这也证明了所提出建模方法的高建模精度.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2022.02.019