具有优化倍增层InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管
O436; 通过优化倍增层的厚度,研究了InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管增益带宽积和暗电流之间的关系.利用仿真计算得出200 nm厚的倍增层能够改善增益带宽积并降低暗电流.制成的InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管性能优异,与计算趋势一致.在获得0.85 A/W的高响应和155 GHz的增益带宽积的同时,器件暗电流低于19 nA.这项研究对雪崩光电二极管在未来高速传输的应用具有重要意义....
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| Veröffentlicht in: | 红外与毫米波学报 2021, Vol.40 (6), p.715-720 |
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| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | chi |
| Online-Zugang: | Volltext |
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| Zusammenfassung: | O436; 通过优化倍增层的厚度,研究了InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管增益带宽积和暗电流之间的关系.利用仿真计算得出200 nm厚的倍增层能够改善增益带宽积并降低暗电流.制成的InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管性能优异,与计算趋势一致.在获得0.85 A/W的高响应和155 GHz的增益带宽积的同时,器件暗电流低于19 nA.这项研究对雪崩光电二极管在未来高速传输的应用具有重要意义. |
|---|---|
| ISSN: | 1001-9014 |
| DOI: | 10.11972/j.issn.1001-9014.2021.06.002 |