硫化物钝化对InAs纳米线光学特性的影响

TN304.2; 针对InAs纳米线表面氧化造成的发光效率低的问题,采用十八硫醇和硫化铵钝化了由化学气相沉积设备生长的闪锌矿结构的InAs纳米线.对硫化物钝化前后的InAs纳米线进行温度依赖的光致发光光谱测试.实验结果表明,十八硫醇和硫化铵钝化的InAs纳米线在25K温度下的发光效率与未钝化的InAs纳米线相比分别提高了～6倍和～7倍,此外,可以在室温下探测到硫化铵钝化的InAs纳米线的光致发光,这为未来基于InAs纳米线的中红外纳米光子器件提供了可能性....

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	红外与毫米波学报 2019-10, Vol.38 (5), p.591-597
Hauptverfasser:	李宝宝, 李生娟, 陈刚, 李世民, 王兴军
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	TN304.2; 针对InAs纳米线表面氧化造成的发光效率低的问题,采用十八硫醇和硫化铵钝化了由化学气相沉积设备生长的闪锌矿结构的InAs纳米线.对硫化物钝化前后的InAs纳米线进行温度依赖的光致发光光谱测试.实验结果表明,十八硫醇和硫化铵钝化的InAs纳米线在25K温度下的发光效率与未钝化的InAs纳米线相比分别提高了～6倍和～7倍,此外,可以在室温下探测到硫化铵钝化的InAs纳米线的光致发光,这为未来基于InAs纳米线的中红外纳米光子器件提供了可能性.
ISSN:	1001-9014
DOI:	10.11972/j.issn.1001-9014.2019.05.008