基于石墨烯/铟砷量子点/砷化镓异质结新型光电探测器

TN29; 研究了一种石墨烯/铟砷量子点/砷化镓界面形成的异质结探测器的暗电流特性以及光电响应性质.虽然石墨烯具有很高的电子迁移率,但受限于较低的光子吸收率,使其在光电探测领域的应用受到了限制.而半导体量子点具有量子效率高,光吸收能力强等独特优点.于是利用石墨烯-砷化铟量子点-砷化镓异质结结构制备了一种新型光电探测器.并对该探测器的响应率、I-V特性曲线、暗电流特性、探测率、开关比等关键性能进行了研究.其在637 nm入射光情况下的响应率、探测率以及开关比可分别达到为17.0 mA/W、2.3×1010cmHz1/2 W-1和1×103.而当入射光为近红外波段的940纳米时,响应率进一步增加到...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	红外与毫米波学报 2019, Vol.38 (3), p.269-289
Hauptverfasser:	胡之厅, 甘桃, 杜磊, 张家振, 徐煌, 韩赛垒, 徐鹤靓, 刘锋, 陈永平, 陈刚
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	TN29; 研究了一种石墨烯/铟砷量子点/砷化镓界面形成的异质结探测器的暗电流特性以及光电响应性质.虽然石墨烯具有很高的电子迁移率,但受限于较低的光子吸收率,使其在光电探测领域的应用受到了限制.而半导体量子点具有量子效率高,光吸收能力强等独特优点.于是利用石墨烯-砷化铟量子点-砷化镓异质结结构制备了一种新型光电探测器.并对该探测器的响应率、I-V特性曲线、暗电流特性、探测率、开关比等关键性能进行了研究.其在637 nm入射光情况下的响应率、探测率以及开关比可分别达到为17.0 mA/W、2.3×1010cmHz1/2 W-1和1×103.而当入射光为近红外波段的940纳米时,响应率进一步增加到了207 mA/W.同时,还证实了该器件的暗电流、肖特基势垒高度和理想因子对温度的都具有较高的依赖性都较强.
ISSN:	1001-9014
DOI:	10.11972/j.issn.1001-9014.2019.03.002