MgxNi1-xMn2O4薄膜结构与电学特性研究

TN371; 采用化学溶液沉积法在Al2O3衬底上生长了MgxNi1-xMn2O4(MNM,x=0,0.05,0.10,0.15,0.20)薄膜.通过x射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜研究了Mg掺杂浓度对MNM薄膜的结构特性的影响,MNM薄膜均匀致密,具有良好的结晶性,为单一立方尖晶石结构.交温电流-电压特性研究显示,MNM薄膜的电输运特性符合小极化子变程跳跃电导模型,同时获得了不同Mg掺杂浓度的MNM薄膜的电阻率ρ、特征温度T0和电阻温度系数α.研究结果表明,Mg的掺杂对MNM薄膜的结构和电学特性都有一定的影响....

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	红外与毫米波学报 2017, Vol.36 (4), p.415-419
Hauptverfasser:	张增辉, 刘芳, 侯云, 第文琦
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	TN371; 采用化学溶液沉积法在Al2O3衬底上生长了MgxNi1-xMn2O4(MNM,x=0,0.05,0.10,0.15,0.20)薄膜.通过x射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜研究了Mg掺杂浓度对MNM薄膜的结构特性的影响,MNM薄膜均匀致密,具有良好的结晶性,为单一立方尖晶石结构.交温电流-电压特性研究显示,MNM薄膜的电输运特性符合小极化子变程跳跃电导模型,同时获得了不同Mg掺杂浓度的MNM薄膜的电阻率ρ、特征温度T0和电阻温度系数α.研究结果表明,Mg的掺杂对MNM薄膜的结构和电学特性都有一定的影响.
ISSN:	1001-9014
DOI:	10.11972/j.issn.1001-9014.2017.04.007