含有超晶格电子势垒的In0.83Ga0.17 As探测器暗电流仿真和验证

含有超晶格电子势垒的In0.83Ga0.17 As探测器暗电流仿真和验证

TN215; 为了获得In0.83Ga0.17As探测器的暗电流机制,采用了TCAD软件对吸收层中含有和不合有超晶格电子势垒的p-i-n结构探测器暗电流特性进行仿真,并开展了器件验证.结果表明,超晶格势垒可以调整器件的能带结构,改变载流子传输特性,降低SRH复合,从而降低器件的暗电流,仿真结果与实验结果吻合.在此基础上,分析了势垒位置和周期变化对暗电流的影响,提出了进一步降低器件暗电流的超晶格电子势垒优化结构....

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Veröffentlicht in:红外与毫米波学报 2016, Vol.35 (6), p.662-666
Hauptverfasser: 李庆法, 李雪, 唐恒敬, 邓双燕, 曹高奇, 邵秀梅, 龚海梅
Format: Artikel
Sprache:chi
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:TN215; 为了获得In0.83Ga0.17As探测器的暗电流机制,采用了TCAD软件对吸收层中含有和不合有超晶格电子势垒的p-i-n结构探测器暗电流特性进行仿真,并开展了器件验证.结果表明,超晶格势垒可以调整器件的能带结构,改变载流子传输特性,降低SRH复合,从而降低器件的暗电流,仿真结果与实验结果吻合.在此基础上,分析了势垒位置和周期变化对暗电流的影响,提出了进一步降低器件暗电流的超晶格电子势垒优化结构.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2016.06.005