背照射波长延伸InGaAs面阵焦平面探测器

在MBE外延生长的In0.8A10.2As／In0.8Ga0.2As材料上，采用台面成型方法制备了背照射32×32元InGaAs探测器，其中心距为30μm，并详细分析了探测罨及其焦平面光电性能．结果表明，温度高于220K时吸收层材料热激活能为0．443eV，300K时在所考虑的偏压范围内，暗电流主要由扩散电流、产生复合电流及其欧姆漏电流构成．对组件焦平面特性也进行了研究，并通过读出电路的变积分电容测试结构测试结果提取出积分电容上的寄生电容，在测试温度范围内约为10fF左右．...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	红外与毫米波学报 2013, Vol.32 (3), p.214-219
1. Verfasser:	魏鹏黄松垒李雪邓洪海朱耀明张永刚龚海梅
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	InGaAs R0A 寄生电容暗电流
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	在MBE外延生长的In0.8A10.2As／In0.8Ga0.2As材料上，采用台面成型方法制备了背照射32×32元InGaAs探测器，其中心距为30μm，并详细分析了探测罨及其焦平面光电性能．结果表明，温度高于220K时吸收层材料热激活能为0．443eV，300K时在所考虑的偏压范围内，暗电流主要由扩散电流、产生复合电流及其欧姆漏电流构成．对组件焦平面特性也进行了研究，并通过读出电路的变积分电容测试结构测试结果提取出积分电容上的寄生电容，在测试温度范围内约为10fF左右．
ISSN:	1001-9014
DOI:	10.3724/SP.J.1010.2013.00214