基于N-on-P结构的背照射延伸波长640×1线列InGaAs探测器

基于N-on-P结构的背照射延伸波长640×1线列InGaAs探测器

在N-on-P型In0.78Al0.22As/In0.78Ga0.22As外延材料上,采用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀技术制备了背照射640×1线列InGaAs探测器芯片,研究了探测器光电性能.结果表明,室温下单元器件响应截止波长和峰值波长分别为2.36μm和1.92μm,平均优值因子（R0A）为16.0Ω.cm2,峰值量子效率达到了37.5%;在1 ms积分时间下焦平面探测器平均峰值探测率达到了2.01×1011 cmHz1/2/W,响应非均匀性为8.77%,盲元率约为0.6%....

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:红外与毫米波学报 2012, Vol.31 (1), p.11-14
1. Verfasser: 朱耀明 李永富 李雪 唐恒敬 邵秀梅 陈郁 邓洪海 魏鹏 张永刚 龚海梅
Format: Artikel
Sprache:chi
Schlagworte:
ICP刻蚀
N-on-P结构
光电性能
线列探测器
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Beschreibung
Zusammenfassung:在N-on-P型In0.78Al0.22As/In0.78Ga0.22As外延材料上,采用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀技术制备了背照射640×1线列InGaAs探测器芯片,研究了探测器光电性能.结果表明,室温下单元器件响应截止波长和峰值波长分别为2.36μm和1.92μm,平均优值因子（R0A）为16.0Ω.cm2,峰值量子效率达到了37.5%;在1 ms积分时间下焦平面探测器平均峰值探测率达到了2.01×1011 cmHz1/2/W,响应非均匀性为8.77%,盲元率约为0.6%.
ISSN:1001-9014