红外焦平面CMOS读出电路TDI功能的测试方法研究

给出了一种新颖的红外焦平面CMOS读出电路TDI功能的测试方法.该方法通过在电测试MOS场效应晶体管栅极施加不同波形的方波激励信号,观察输出电压波形的对应变化,验证TDI功能的信号延迟和累加操作是否正确.应用该方法实际测试了一款TDI型红外焦平面CMOS读出电路,各种激励模式下测试得到的输出波形均与预计的理想输出波形吻合,证明该测试方法可行,且简单、直观、有普适性....

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Veröffentlicht in:	Hong wai yu hao mi bo xue bao 2008, Vol.27 (5), p.342-345
1. Verfasser:	陈中建鲁文高唐矩张雅聪吉利久
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	时间延迟积分测试方法红外焦平面读出电路
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	给出了一种新颖的红外焦平面CMOS读出电路TDI功能的测试方法.该方法通过在电测试MOS场效应晶体管栅极施加不同波形的方波激励信号,观察输出电压波形的对应变化,验证TDI功能的信号延迟和累加操作是否正确.应用该方法实际测试了一款TDI型红外焦平面CMOS读出电路,各种激励模式下测试得到的输出波形均与预计的理想输出波形吻合,证明该测试方法可行,且简单、直观、有普适性.
ISSN:	1001-9014
DOI:	10.3321/j.issn:1001-9014.2008.05.006