GaAsSb/GaAs量子阱激光器结构的发光研究

TN24; 研究了GaAsSb/GaAs应变量子阱及应变补偿量子阱激光器结构的光致发光和电注入发光.结果表明,分子束外延生长温度的改变使量子阱发光性能发生系统性变化,证明生长温度对量子阱中锑的组分和界面质量具有重要影响. 同时,低温光致发光峰的波长随激发功率密度增大发生明显蓝移,具有Ⅱ类量子阱的特点. 应变补偿量子阱激光器在波长为1.3μm附近激射,阈值电流密度约为1.8kA/cm2....

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	红外与毫米波学报 2002, Vol.21 (z1), p.7-10
Hauptverfasser:	江德生, 王江波, C.Navarro, 梁晓甘, 陈志标, 俞水清, S.Chaparro, S.Johnson, 曹勇, 张永航
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	TN24; 研究了GaAsSb/GaAs应变量子阱及应变补偿量子阱激光器结构的光致发光和电注入发光.结果表明,分子束外延生长温度的改变使量子阱发光性能发生系统性变化,证明生长温度对量子阱中锑的组分和界面质量具有重要影响. 同时,低温光致发光峰的波长随激发功率密度增大发生明显蓝移,具有Ⅱ类量子阱的特点. 应变补偿量子阱激光器在波长为1.3μm附近激射,阈值电流密度约为1.8kA/cm2.
ISSN:	1001-9014
DOI:	10.3321/j.issn:1001-9014.2002.z1.002