稀土硼化物CeB6(100)晶面的形成与电子结构研究

稀土硼化物CeB6(100)晶面的形成与电子结构研究

在超软赝势密度泛函理论的基础上研究了稀土六硼化物CeB6单晶(100)面的形成和电子结构。分析结果表明:CeB6(100)晶面比其块体材料较难以形成,其稳定性降低;CeB6材料经过低维化之后向导体转变,CeB6(100)晶面材料的能带为导体型,其导带主要由Cef和Ced电子形成,价带主要由Bp电子形成;CeB6(100)晶面材料费米能级附近导带和价带的有效质量均较大,CeB6材料(100)晶面低维化之后其电子局域化效应明显,电子局域效应主要出现在费米能级以上。...

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Veröffentlicht in:河南城建学院学报 2020-02, Vol.29 (1), p.83-87
Hauptverfasser: 杨欢, 牛灵慧, 张飞鹏, 张光磊, 秦国强, 秦胜建
Format: Artikel
Sprache:chi
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:在超软赝势密度泛函理论的基础上研究了稀土六硼化物CeB6单晶(100)面的形成和电子结构。分析结果表明:CeB6(100)晶面比其块体材料较难以形成,其稳定性降低;CeB6材料经过低维化之后向导体转变,CeB6(100)晶面材料的能带为导体型,其导带主要由Cef和Ced电子形成,价带主要由Bp电子形成;CeB6(100)晶面材料费米能级附近导带和价带的有效质量均较大,CeB6材料(100)晶面低维化之后其电子局域化效应明显,电子局域效应主要出现在费米能级以上。
ISSN:1674-7046
DOI:10.14140/j.cnki.hncjxb.2020.01.015