填料法制备SiCf/SiC复合材料的力学性能和高温介电性能

填料法制备SiCf/SiC复合材料的力学性能和高温介电性能

TB34; 为获得性能优异的耐高温结构吸波材料,以纳米SiO2颗粒为填料,采用有机先驱体浸渍裂解法(precursor infiltration and pyrolysis,PIP)制备SiCf/SiC复合材料,研究填料对复合材料力学性能和高温介电性能的影响.结果表明:随着SiO2含量从3%(质量分数,下同)增加至15%,SiCf/SiC复合材料的弯曲强度先增加后减小,最高可达275 MPa;低介电常数SiO2填料的引入使得复合材料的复介电常数逐渐减小,室温吸波性能得到有效改善,15% SiO2含量的复合材料厚度为3.2~4.0 mm时,室温反射率在整个X波段均达到–8 dB以下;复合材料的复...

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Veröffentlicht in:航空材料学报 2018-06, Vol.38 (3), p.31-39
Hauptverfasser: 穆阳, 邓佳欣, 李皓, 周万城
Format: Artikel
Sprache:chi
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:TB34; 为获得性能优异的耐高温结构吸波材料,以纳米SiO2颗粒为填料,采用有机先驱体浸渍裂解法(precursor infiltration and pyrolysis,PIP)制备SiCf/SiC复合材料,研究填料对复合材料力学性能和高温介电性能的影响.结果表明:随着SiO2含量从3%(质量分数,下同)增加至15%,SiCf/SiC复合材料的弯曲强度先增加后减小,最高可达275 MPa;低介电常数SiO2填料的引入使得复合材料的复介电常数逐渐减小,室温吸波性能得到有效改善,15% SiO2含量的复合材料厚度为3.2~4.0 mm时,室温反射率在整个X波段均达到–8 dB以下;复合材料的复介电常数随着温度的升高逐渐增大,而SiO2能显著降低高温复介电常数及其增幅,700 ℃时15% SiO2含量复合材料在2.7~3.0 mm厚度范围具有优异的吸波性能.
ISSN:1005-5053
DOI:10.11868/j.issn.1005-5053.2017.000167