靶表面粗糙度对低能电子致厚Ni靶特征X射线产额的影响研究

靶表面粗糙度对低能电子致厚Ni靶特征X射线产额的影响研究

TL814; 采用蒙特卡罗(Monte Carlo,MC)法对低能电子入射厚Ni靶时靶表面粗糙度对特征X射线产额的影响进行了模拟分析,结果表明:随着表面粗糙度的增大,其特征X射线产额逐步减小.采用扫描电镜装置测量得到了9～29 keV的电子束碰撞光滑厚Ni靶所致的K壳层特征X射线产额,通过与最新的扭曲波玻恩近似(Distorted Wave Born Approximation,DWBA)理论计算值对比表明,Kα特征X射线的实验产额与DWBA理论计算值吻合很好,Kβ特征X射线产额高于DWBA理论值约10％.因此,在今后的电子致厚靶原子内壳层电离截面实验中,需对实验靶样品表面进行镜面抛光,以减小...

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Veröffentlicht in:核技术 2021-11, Vol.44 (11), p.20-24
Hauptverfasser: 田丽霞, 尹毅, 戴朝成
Format: Artikel
Sprache:chi
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:TL814; 采用蒙特卡罗(Monte Carlo,MC)法对低能电子入射厚Ni靶时靶表面粗糙度对特征X射线产额的影响进行了模拟分析,结果表明:随着表面粗糙度的增大,其特征X射线产额逐步减小.采用扫描电镜装置测量得到了9～29 keV的电子束碰撞光滑厚Ni靶所致的K壳层特征X射线产额,通过与最新的扭曲波玻恩近似(Distorted Wave Born Approximation,DWBA)理论计算值对比表明,Kα特征X射线的实验产额与DWBA理论计算值吻合很好,Kβ特征X射线产额高于DWBA理论值约10％.因此,在今后的电子致厚靶原子内壳层电离截面实验中,需对实验靶样品表面进行镜面抛光,以减小表面粗糙度对实验结果的影响.
ISSN:0253-3219
DOI:10.11889/j.0253-3219.2021.hjs.44.110201