基于干涉法的晶体表面微损伤的定位与表征

TL99; 硅晶体是同步辐射光源光束线站上的关键光学材料之一,主要应用于双晶单色器,其主要作用是将单一波长的谱线分离出来以用于特定的分析实验,实现同步辐射光的"单色化".因此,晶体的加工质量对同步辐射光的品质具有重要影响,对晶体受光面的质量检测工作也就显得尤为重要.目前的常规方法主要是使用光学显微镜与扫描电镜来检测晶体的表面质量,查看肉眼不可见的微小裂纹、凸起、划痕以及沟槽等损伤.通过实验的方法,提出一种基于光干涉法的较为简便可行的检测方法,即联合利用Fizeau型激光干涉仪与原子力显微镜来检测与定量表征处于晶体工作面的上述损伤.通过确定微损伤的具体位置、定量表征损伤区域的大小(长度、宽度、高度/深度等),评估该微损伤对晶体光学性能的可能性影响,为晶体的表面质量检测与表征提供一种有效可行的简便方法.