半导体载流子分布的太赫兹近场显微表征

半导体载流子分布的太赫兹近场显微表征

O433; 基于自建的太赫兹散射型扫描近场显微镜系统(THz s-SNOM),研究了其在显微表征半导体载流子浓度分布中的应用.对基于半导体硅的静态随机存取存储器(SRAM)的纳米结构进行了近场显微成像测量,并采用可见光调控本征硅样品表面的载流子浓度,实现了不同浓度(1014～1017 cm?3)光生载流子的近场检测.结果表明,此THz s-SNOM能够对半导体微纳结构的载流子分布进行高空间分辨率的显微表征,测量结果与基于偶极子模型的计算结果具有较好的吻合度....

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Veröffentlicht in:光学仪器 2020, Vol.42 (6), p.28-34
Hauptverfasser: 刘逍, 吴佩颖, 屈明曌, 顾虹宇, 王启超, 游冠军
Format: Artikel
Sprache:chi
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:O433; 基于自建的太赫兹散射型扫描近场显微镜系统(THz s-SNOM),研究了其在显微表征半导体载流子浓度分布中的应用.对基于半导体硅的静态随机存取存储器(SRAM)的纳米结构进行了近场显微成像测量,并采用可见光调控本征硅样品表面的载流子浓度,实现了不同浓度(1014～1017 cm?3)光生载流子的近场检测.结果表明,此THz s-SNOM能够对半导体微纳结构的载流子分布进行高空间分辨率的显微表征,测量结果与基于偶极子模型的计算结果具有较好的吻合度.
ISSN:1005-5630
DOI:10.3969/j.issn.1005-5630.2020.06.005