过氧化聚吡咯修饰金电极研究全氟化合物对脱氧核糖核酸的损伤

过氧化聚吡咯修饰金电极研究全氟化合物对脱氧核糖核酸的损伤

O629%R114; 金电极在含有1.0 mol/L KCl的0.1 mol/L吡咯溶液中,-0.3～0.8 V循环扫描10圈制备了聚吡咯膜,在1.2 V进行过氧化处理,得到聚吡咯微孔膜,并将双链小牛胸腺DNA沉积在膜的微孔内,利用差分脉冲技术以亚甲基蓝(MB)为电化学指示剂研究了新型有机污染物全氟辛烷磺酸(PFOS)对DNA的损伤.结果表明随着损伤时间的增加,MB还原峰电流减小,表明PFOS与DNA的相互作用阻碍了碱基鸟嘌呤G与MB的结合;同时电极的表面电子传递电阻从650 Ω增大到1350Ω,表明PFOS对DNA的损伤降低了DNA的电子传递性能.该DNA传感器为研究污染物的毒理提供了新思路...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:分析化学 2011, Vol.39 (3), p.392-396
Hauptverfasser: 鲁理平, 王飞, 康天放, 程水源, 王玉婷
Format: Artikel
Sprache:chi
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:O629%R114; 金电极在含有1.0 mol/L KCl的0.1 mol/L吡咯溶液中,-0.3～0.8 V循环扫描10圈制备了聚吡咯膜,在1.2 V进行过氧化处理,得到聚吡咯微孔膜,并将双链小牛胸腺DNA沉积在膜的微孔内,利用差分脉冲技术以亚甲基蓝(MB)为电化学指示剂研究了新型有机污染物全氟辛烷磺酸(PFOS)对DNA的损伤.结果表明随着损伤时间的增加,MB还原峰电流减小,表明PFOS与DNA的相互作用阻碍了碱基鸟嘌呤G与MB的结合;同时电极的表面电子传递电阻从650 Ω增大到1350Ω,表明PFOS对DNA的损伤降低了DNA的电子传递性能.该DNA传感器为研究污染物的毒理提供了新思路.
ISSN:0253-3820
DOI:10.3724/SP.J.1096.2011.00392