基于碳化硅中子探测器的实验研究

TL816+.3; 碳化硅(SiC)中子探测器属于一种宽禁带半导体探测器,适合在高温强辐射环境下的测量.本文利用标准放射源建立了SiC中子探测器的实验测试系统,分别研究了SiC中子探测器在252Cf标准源及60Co标准源照射下的响应情况.通过实验测试发现,SiC中子探测器可以在低偏置电压下工作,在252Cf标准源照射下探测器的计数率与中子通量之间具有非常好的线性关系,其线性拟合R2值为0.9998.此外,SiC中子探测器在60Co源照射下的计数主要是在低能区,可以通过甄别阈值设置有效地分辨γ射线的影响....

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	辐射研究与辐射工艺学报 2020, Vol.38 (5), p.67-72
Hauptverfasser:	唐彬, 蔡军, 黄文博, 梁超飞, 李长园, 李世斌
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	TL816+.3; 碳化硅(SiC)中子探测器属于一种宽禁带半导体探测器,适合在高温强辐射环境下的测量.本文利用标准放射源建立了SiC中子探测器的实验测试系统,分别研究了SiC中子探测器在252Cf标准源及60Co标准源照射下的响应情况.通过实验测试发现,SiC中子探测器可以在低偏置电压下工作,在252Cf标准源照射下探测器的计数率与中子通量之间具有非常好的线性关系,其线性拟合R2值为0.9998.此外,SiC中子探测器在60Co源照射下的计数主要是在低能区,可以通过甄别阈值设置有效地分辨γ射线的影响.
ISSN:	1000-3436
DOI:	10.11889/j.1000-3436.2020.rrj.38.050702