Ag对TDDI结构电容值的影响研究

本文主要研究了Ag（银）胶涂覆对TDDI结构的电容值的影响,Ag胶的主要作用是导通CF层与TFT层（ITO）防止静电产生,避免静电累积在Cell盒内导致画面显示异常。研究表明Ag胶易渗入到Cell盒内与BM接触,使BM与外围的GND接地,与COM形成压差,导致电容值偏大。本研究为后续优化Ag胶工艺,控制Ag胶的大小及位置提供参考方向。