一种极低功耗自偏置CMOS带隙基准源
基于CMSC 0.18um CMOS工艺，设计了一种自偏置结构带隙基准源，利用自偏置结构能够省略启动电路。所有MOS管工作在亚阈值范围，电路总功耗能够降低到nA级。利用华大九天Aether软件验证平台，仿真结果表明，电路最低工作电源电压为0.8V，在-40-80度之间，温度系数27ppm/℃。在温度27℃、电源电压0.8V时，输出基准电压为543mV，低频电源电压抑制比为90dB，高频为46dB，功耗仅为4.2nW，电路面积为0.05mm。...
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| Veröffentlicht in: | 电子世界 2015 (23), p.67-69 |
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| Format: | Magazinearticle |
| Sprache: | chi |
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| Online-Zugang: | Volltext |
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| Zusammenfassung: | 基于CMSC 0.18um CMOS工艺，设计了一种自偏置结构带隙基准源，利用自偏置结构能够省略启动电路。所有MOS管工作在亚阈值范围，电路总功耗能够降低到nA级。利用华大九天Aether软件验证平台，仿真结果表明，电路最低工作电源电压为0.8V，在-40-80度之间，温度系数27ppm/℃。在温度27℃、电源电压0.8V时，输出基准电压为543mV，低频电源电压抑制比为90dB，高频为46dB，功耗仅为4.2nW，电路面积为0.05mm。 |
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| ISSN: | 1003-0522 |