基于铁电晶体管的存储与存算一体电路

TN402; 近年来,物联网和人工智能等技术的发展对片上存储与智能计算的能效、密度以及性能提出了更高的要求.面对传统CMOS处理器的能效与密度瓶颈,以及传统冯·诺伊曼架构的"存储墙"瓶颈,以铁电晶体管(Fe-FET)为代表的新型非易失存储器(NVM)提供了新的机遇.FeFET具有非易失、高能效、高开关比等特点,非常适合低功耗、高密度场景下的存储与存算一体(CiM)应用,为数据密集型应用在边缘端的部署提供支持.该文回顾了FeFET的发展历程、结构、特性以及建模相关的工作,概述了FeFET存储器在电路结构和访存机制上的探索与优化.进一步地,该文还探讨了FeFET CiM在非易失计算、存内逻辑计算、矩阵向量乘法以及内容可寻址存储器上的应用.最后,该文从不同方面分析并展望了基于FeFET的存储与CiM电路的前景与挑战.