基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管

基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管

TN385; 为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料.利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术,制作了InP基共振遂穿二极管器件.并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度＞400 kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)＞2.4....

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Veröffentlicht in:电子技术应用 2019, Vol.45 (8), p.32-39
Hauptverfasser: 车相辉, 梁士雄, 张立森, 顾国栋, 郝文嘉, 杨大宝, 陈宏泰, 冯志红
Format: Artikel
Sprache:chi
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Beschreibung
Zusammenfassung:TN385; 为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料.利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术,制作了InP基共振遂穿二极管器件.并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度＞400 kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)＞2.4.
ISSN:0258-7998
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.199803