太赫兹固态放大器研究进展

太赫兹固态放大器研究进展

TN722.1; 随着半导体技术的发展,晶体管特征频率不断提高,已经进入到太赫兹(THz)频段,使得固态器件可以在THz频段工作.THz放大器可以将微弱的信号进行放大,在THz系统中起着关键作用.介绍了基于氮化镓(Gallium Nitride,GaN)高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)器件、磷化铟(Indium Phosphide,InP)HEMT器件和InP异质结双极晶体管/双异质结双极晶体管(InP Heterojunction Bipolar Transistor/Double Heterojunction Bipolar...

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Veröffentlicht in:电子技术应用 2019, Vol.45 (8), p.19-25
Hauptverfasser: 郭方金, 王维波, 陈忠飞, 孙洪铮, 周细磅, 陶洪琪
Format: Artikel
Sprache:chi
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:TN722.1; 随着半导体技术的发展,晶体管特征频率不断提高,已经进入到太赫兹(THz)频段,使得固态器件可以在THz频段工作.THz放大器可以将微弱的信号进行放大,在THz系统中起着关键作用.介绍了基于氮化镓(Gallium Nitride,GaN)高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)器件、磷化铟(Indium Phosphide,InP)HEMT器件和InP异质结双极晶体管/双异质结双极晶体管(InP Heterojunction Bipolar Transistor/Double Heterojunction Bipolar Transistor,HBT/DHBT)器件的THz单片放大器研究进展.
ISSN:0258-7998
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.199801