自偏置低噪放的设计与改进

分析了贴片电容的非理想特性在C波段及以上频率的自偏置电路旁路应用中对低噪放设计的不利影响。分析表明，贴片电容用做自偏置旁路时将严重恶化电路的稳定性和噪声指标。提出了对自偏置电路的改进方法及工艺实现，从而避免了电容对指标的负面影响。为了验证改进电路的优势，采用改进的自偏置电路设计了6GHz～9GHz低噪放，实验结果很好地验证了其分析。