3.3μA静态电流无片外电容的CMOS低压差线性稳压器

3.3μA静态电流无片外电容的CMOS低压差线性稳压器

TN401; 设计了一种用于片上系统的无片外电容的CMOS低压差线性稳压器(LDO),其输出电压为3.3 V,最大输出电流为100 mA.该设计可以有效地减少芯片引脚和电路板面积.通过在传统结构上使用动态摆率增强电路和嵌套式米勒补偿技术,LDO在线性和负载响应过程中都有很强的稳定性.当输出电流从100 mA减小到1 mA时,过冲电压被限制在550 mV以内,稳定时间小于50μs.由于采用了30 nA的电流基准,本设计的静态功耗仅为3.3μA.通过CSMC公司0.5 μm CMOS工艺进行设计并流片验证,芯片测试结果与仿真结果吻合....

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Veröffentlicht in:东南大学学报（英文版） 2009, Vol.25 (1), p.13-17
Hauptverfasser: 王忆, 崔传荣, 巩文超, 何乐年
Format: Artikel
Sprache:chi
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:TN401; 设计了一种用于片上系统的无片外电容的CMOS低压差线性稳压器(LDO),其输出电压为3.3 V,最大输出电流为100 mA.该设计可以有效地减少芯片引脚和电路板面积.通过在传统结构上使用动态摆率增强电路和嵌套式米勒补偿技术,LDO在线性和负载响应过程中都有很强的稳定性.当输出电流从100 mA减小到1 mA时,过冲电压被限制在550 mV以内,稳定时间小于50μs.由于采用了30 nA的电流基准,本设计的静态功耗仅为3.3μA.通过CSMC公司0.5 μm CMOS工艺进行设计并流片验证,芯片测试结果与仿真结果吻合.
ISSN:1003-7985
DOI:10.3969/j.issn.1003-7985.2009.01.004