氮化物应力膜SOI SiGe异质结双极晶体管的频率特性研究

TN322+.8; 为了提高器件的频率特性,设计了一种表面覆盖氮化物(Si3 N4)应力膜的应变硅SOI SiGe异质结双极晶体管结构,通过在器件结构的最上层淀积一层Si3 N4,使其在基区引入单轴压应力,增强载流子的迁移率,来提高器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax.采用SILVA-CO软件进行仿真,重点研究不同埋氧化层厚度和氮化膜对器件频率特性的影响.结果表明:在埋氧化层厚度为190 nm,基区Ge组分为17％～30％的阶梯型分布且淀积Si3 N4薄膜引入应力时,截止频率fT约为638 GHz,最高振荡频率fmax约为795 GHz.与传统的SOI SiGe HBT相比,截止频率fT提...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	重庆理工大学学报（自然科学版） 2021, Vol.35 (5), p.163-169
Hauptverfasser:	刘培培, 文剑豪, 魏进希, 王冠宇, 周春宇
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	TN322+.8; 为了提高器件的频率特性,设计了一种表面覆盖氮化物(Si3 N4)应力膜的应变硅SOI SiGe异质结双极晶体管结构,通过在器件结构的最上层淀积一层Si3 N4,使其在基区引入单轴压应力,增强载流子的迁移率,来提高器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax.采用SILVA-CO软件进行仿真,重点研究不同埋氧化层厚度和氮化膜对器件频率特性的影响.结果表明:在埋氧化层厚度为190 nm,基区Ge组分为17％～30％的阶梯型分布且淀积Si3 N4薄膜引入应力时,截止频率fT约为638 GHz,最高振荡频率fmax约为795 GHz.与传统的SOI SiGe HBT相比,截止频率fT提高了38 GHz,最高振荡频率fmax提高了44 GHz.
ISSN:	1674-8425
DOI:	10.3969/j.issn.1674-8425(z).2021.05.022