层间距宽化二硫化钼的一步合成及其电催化析氢性能

O643; 提出一种通过增加反应物中硫脲比例来合成层间距宽化的二硫化钼(E-MoS2)的一步合成方法.该方法中,过量硫脲高温下转化为硫氰酸铵原位嵌入MoS2层间使层间距宽化,避免传统E-MoS2的复杂合成过程和外来插层分子的引入.该方法合成的E-MoS2微米花展现出良好的析氢性能:在电流密度为-10mA/cm2时的析氢过电位为285mV,塔菲尔斜率为68.5mV/dec,远低原始MoS2的析氢过电位(588mV)和塔菲尔斜率(122.2mV/dec).该E-MoS2析氢性能的提升可归因于:层间距的宽化优化MoS2的电子结构,从而提高导电性,降低氢吸附自由能;且合成过程中硫氰酸铵分子的原位嵌入抑...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	材料工程 2023, Vol.51 (10), p.84-92
Hauptverfasser:	郑学军, 陈隆源, 王经纬, 朱红伟, 何文远
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	O643; 提出一种通过增加反应物中硫脲比例来合成层间距宽化的二硫化钼(E-MoS2)的一步合成方法.该方法中,过量硫脲高温下转化为硫氰酸铵原位嵌入MoS2层间使层间距宽化,避免传统E-MoS2的复杂合成过程和外来插层分子的引入.该方法合成的E-MoS2微米花展现出良好的析氢性能:在电流密度为-10mA/cm2时的析氢过电位为285mV,塔菲尔斜率为68.5mV/dec,远低原始MoS2的析氢过电位(588mV)和塔菲尔斜率(122.2mV/dec).该E-MoS2析氢性能的提升可归因于:层间距的宽化优化MoS2的电子结构,从而提高导电性,降低氢吸附自由能;且合成过程中硫氰酸铵分子的原位嵌入抑制MoS2的生长,减小其微米花尺寸,使其暴露出更多的活性位点.因此,该E-MoS2微米花有望成为一种有前景的非贵金属析氢电催化剂.
ISSN:	1001-4381
DOI:	10.11868/j.issn.1001-4381.2021.001085