CuO/Cu xS y八面体核壳结构的合成及其电化学性能
O646; 在室温下通过离子交换过程,快速制备双壳层中空氧化铜/硫化铜(CuO/Cux Sy)八面体材料.通过调节硫化时间,双壳层中空CuO/Cux Sy八面体的形貌和硫化物/氧化物组成发生改变,进而影响其电化学性能.通过XRD,SEM,TEM和XPS对该八面体的形貌结构进行测试分析.测试表明该中空结构具有相互交叉的CuxSy纳米片构成的外壳和位于八面体内部的CuO核层部分.双壳层中空CuO/Cux Sy八面体的独特结构和CuO,Cux Sy之间的协同效应有利于材料的电化学过程.当硫化时间为6 h时双壳层中空CuO/Cux Sy八面体在1 A·g-1的电流密度下具有高达413.6 F·g-1的...
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| Veröffentlicht in: | 材料工程 2020, Vol.48 (6), p.98-105 |
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| Format: | Artikel |
| Sprache: | chi |
| Online-Zugang: | Volltext |
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| Zusammenfassung: | O646; 在室温下通过离子交换过程,快速制备双壳层中空氧化铜/硫化铜(CuO/Cux Sy)八面体材料.通过调节硫化时间,双壳层中空CuO/Cux Sy八面体的形貌和硫化物/氧化物组成发生改变,进而影响其电化学性能.通过XRD,SEM,TEM和XPS对该八面体的形貌结构进行测试分析.测试表明该中空结构具有相互交叉的CuxSy纳米片构成的外壳和位于八面体内部的CuO核层部分.双壳层中空CuO/Cux Sy八面体的独特结构和CuO,Cux Sy之间的协同效应有利于材料的电化学过程.当硫化时间为6 h时双壳层中空CuO/Cux Sy八面体在1 A·g-1的电流密度下具有高达413.6 F·g-1的比电容,并且其在20 A·g-1的电流密度下具有较好的倍率性能和循环稳定性. |
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| ISSN: | 1001-4381 |
| DOI: | 10.11868/j.issn.1001-4381.2019.000381 |