基于正交试验制备(NixSi+C)/Cu复合材料的冶金工艺优化研究

TB33; 为优化制备(Nix Si+C)/Cu复合材料粉末冶金的工艺参数,设计正交试验,分别研究了混料方式、烧结温度及烧结时间对(Nix Si+C)/Cu复合材料微观组织及力学性能的影响.结果表明:过低的混粉能量导致SiC不能均匀分散,反应后制备的复合材料中粉末边界处存在未反应完全的SiC颗粒;过高的混粉能量导致粉末发生严重变形,加大烧结过程中元素的扩散能力,反应后制备的复合材料中粉末边界处Ni3 Si和C的混合物呈完整的网状结构;烧结温度的提高和烧结时间的增长,均造成所制备的复合材料粉末边界处析出的Ni3 Si数量增加和材料的致密度提高.除此之外,导电率和硬度均呈上升趋势.获得具有最佳导电...

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Veröffentlicht in:	材料保护 2023, Vol.56 (2), p.77-86
Hauptverfasser:	秦岚, 贾磊, 杨明芳, 王文杰, 姜丽萍
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	TB33; 为优化制备(Nix Si+C)/Cu复合材料粉末冶金的工艺参数,设计正交试验,分别研究了混料方式、烧结温度及烧结时间对(Nix Si+C)/Cu复合材料微观组织及力学性能的影响.结果表明:过低的混粉能量导致SiC不能均匀分散,反应后制备的复合材料中粉末边界处存在未反应完全的SiC颗粒;过高的混粉能量导致粉末发生严重变形,加大烧结过程中元素的扩散能力,反应后制备的复合材料中粉末边界处Ni3 Si和C的混合物呈完整的网状结构;烧结温度的提高和烧结时间的增长,均造成所制备的复合材料粉末边界处析出的Ni3 Si数量增加和材料的致密度提高.除此之外,导电率和硬度均呈上升趋势.获得具有最佳导电率和硬度的(Nix Si+C)/Cu复合材料的冶金制备工艺参数组合为:振动混粉,球料比为1:5的混料工艺,烧结温度950℃,烧结时间120 min.在该工艺条件下,验证了试样的致密度、导电率和维氏硬度,验证结果均大于正交试验所有的试样,为后续制备性能优异的(Nix Si+C)/Cu复合材料提供了重要的理论和实践参考依据.
ISSN:	1001-1560
DOI:	10.16577/j.issn.1001-1560.2022.2002