High Curie temperature ferromagnetism and high hole mobility in tensile strained Mn-doped SiGe thin films

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of semiconductors 2020-08, Vol.41 (8), p.80201
1. Verfasser:	Zhao, Jianhua
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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