Electrochemical device
2 32 2 An electrochemical device including: (a) a semiconductor layer, wherein the semiconductor is silicon or silicon carbide, and where the layer has a thickness from 1 to 1000 μm; (b) a TiOlayer on the semiconductor layer, where the layer may include an alkaline earth oxide MO up to an amount whe...
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| Hauptverfasser: | , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
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