Method of forming a shallow trench-deep trench isolation region for a BiCMOS/CMOS technology

A method of forming a shallow trench-deep trench isolation for a semiconductor device is provided.

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Chang, Kuan-Lun, Liu, Ruey-Hsin, Liou, Tsyr-Shyang, Chiang, Chih-Min, Tsai, Jun-Lin
Format:	Patent
Sprache:	eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A method of forming a shallow trench-deep trench isolation for a semiconductor device is provided.