Electron beam induced defects in Ge‐implanted SiO 2 layers

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physica status solidi. C 2005-01, Vol.2 (1), p.580-583
Hauptverfasser:	Salh, Roushdey, Czarnowski, A. von, Fitting, H.‐J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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