Structure and properties of vacancy-oxygen complexes in Si1-xGex alloys

Structure and properties of vacancy-oxygen complexes in Si1-xGex alloys

The electronic properties and structure of vacancy-oxygen (VO) complexes in Czochralski-grown Si1-xGex crystals (0

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter and materials physics Condensed matter and materials physics, 2004-03, Vol.69 (12), p.125218
Hauptverfasser: Markevich, V.P., Peaker, A.R., Coutinho, J., Jones, R., Torres, V.J.B., Öberg, Sven, Briddon, P.R., Murin, L.I., Dobaczewski, L., Abrosimov, N.V.
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Scientific Computing
Teknisk-vetenskapliga beräkningar
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:The electronic properties and structure of vacancy-oxygen (VO) complexes in Czochralski-grown Si1-xGex crystals (0
ISSN:1550-235X
1098-0121
DOI:10.1103/PhysRevB.69.125218