Hydride vapor phase epitaxy of Si -doped AlN layers using SiCl 4 as a doping gas

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of crystal growth 2020-09, Vol.545
Hauptverfasser: Yamamoto, Reo, Takekawa, Nao, Goto, Ken, Nagashima, Toru, Dalmau, Rafael, Schlesser, Raoul, Murakami, Hisashi, Collazo, Ramon, Monemar, Bo, Sitar, Zlatko, Kumagai, Yoshinao
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0022-0248
1873-5002
DOI:10.1016/j.jcrysgro.2020.125730