Erratum: “Experimental studies of dose retention and activation in fin field-effect-transistor-based structures” [ J. Vac. Sci. Technol. B 28, C1H5 (2010)]
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Veröffentlicht in: | Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena, 2010-05, Vol.28 (3), p.648-648 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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Zusammenfassung: | |
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ISSN: | 1071-1023 2166-2746 1520-8567 2166-2754 |
DOI: | 10.1116/1.3432119 |