Erratum: “Experimental studies of dose retention and activation in fin field-effect-transistor-based structures” [ J. Vac. Sci. Technol. B 28, C1H5 (2010)]

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena, 2010-05, Vol.28 (3), p.648-648
Hauptverfasser: Mody, Jay, Duffy, Ray, Eyben, Pierre, Goossens, Jozefien, Moussa, Alain, Polspoel, Wouter, Berghmans, Bart, van Dal, M. J. H., Pawlak, B. J., Kaiser, M., Weemaes, R. G. R., Vandervorst, Wilfried
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:1071-1023
2166-2746
1520-8567
2166-2754
DOI:10.1116/1.3432119